Выпуск:
2022. Том 8. № 4 (32)Об авторах:
Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо, кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник, лаборатория мемристорных материалов, Центр природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; abdulla.ybragim@mail.ru, https://orcid.org/0000-0002-1709-9882Аннотация:
Биоморфный нейропроцессор является аппаратной реализацией импульсной нейросети; в нем поступающая информация из набора чисел преобразуется в импульсы, а выходящая — наоборот, из импульсов в двоичный код. Для автоматизированного построения электрических схем входного кодирующего и выходного декодирующего устройств нейропроцессора с помощью сверхбольших логических матриц на основе мемристорно-диодного кроссбара разработаны соответствующие алгоритмы. Для последующего имитационного моделирования обработки информации в этих устройствах, а также в запоминающей матрице нейропроцессора создан алгоритм для расчета больших электрических схем с мемристорно-диодными кроссбарами. Этот алгоритм моделирования построен на основе известного алгоритма симулятора SPICE и включает оригинальные математические модели мемристора и селективного элемента диода Зенера, в том числе алгоритм моделирования резистивного переключения мемристора. Результаты имитационного моделирования с помощью разработанных алгоритмов и соответствующих программ показали работоспособность построенных электрических схем входного устройства в режиме кодирования двоичного числа в частоту импульсов популяцией из трех нейронов и выходного устройства нейропроцессора в режиме декодирования поступающих от нейронов импульсов в двоичный формат, включая работоспособность запоминающей матрицы при взвешивании и суммировании импульсов. Созданные алгоритмы моделирования и комплекс программ на их основе может быть использован для эффективного решения инженерно-технической задачи изготовления биоморфного нейропроцессора, требующей имитационного моделирования обработки информации в отдельных устройствах нейропроцессора, построенных на основе больших мемристорно-диодных массивов, с целью оптимизации их параметров.Ключевые слова:
Список литературы: