Об авторах:
Маевский Олег Васильевич, кандидат технических наук, директор ООО «Нанодевайсес»;
oleg-maevsky@yandex.ruПисарев Александр Дмитриевич, кандидат технических наук, доцент кафедры прикладной и технической физики, Школа естественных наук, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; старший научный сотрудник, лаборатория мемристорных материалов, Центр природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия;
spcb.doc@utmn.ru,
https://orcid.org/0000-0002-5602-3880Бусыгин Александр Николаевич, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры прикладной и технической физики, Школа естественных наук, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; старший научный сотрудник, лаборатория мемристорных материалов, Центр природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия;
a.n.busygin@utmn.ru,
https://orcid.org/0000-0002-3439-8067
Удовиченко Сергей Юрьевич, доктор физико-математических наук, профессор кафедры прикладной и технической физики, Школа естественных наук, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; научный руководитель лаборатории мемристорных материалов, Центр природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия;
udotgu@mail.ru,
https://orcid.org/0000-0003-3583-7081
Аннотация:
Представлены топология и электрические схемы ячеек на основе мемристоров, полученных путем интеграции мемристоров, диодов и КМОП платформы. Такие ячейки предлагается использовать в качестве коммутатора логических элементов и в запоминающем устройстве, которые позволяют создать микроконтроллер и нейропроцессор с энергонезависимой памятью, высоким быстродействием и малым энергопотреблением. При этом замена в логических схемах полевых транзисторов на мемристоры существенно уменьшает площадь активных элементов на кристалле микроконтроллера и упрощает цепи программирования.