Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо

Рубрика: Физико - математическое моделирование

Автор: Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо

Об авторе:

кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник, лаборатория мемристорных материалов, Центр природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; abdulla.ybragim@mail.ru, https://orcid.org/0000-0002-1709-9882

Статьи:

2019. Том 5. №2

Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре

Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо

2019. Том 5. №4 (20)

Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара — основы аппаратной реализации нейропроцессора

Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо

2020. Том 6. № 2 (22)

Математическое моделирование резистивных состояний и динамического переключения мемристора на основе оксида металла

Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо

2020. Том 6. № 4 (24)

Моделирование процессов декодирования информации в выходном устройстве биоморфного нейропроцессора