Бусыгин Александр Николаевич

Рубрика: Физико - математическое моделирование

Автор: Бусыгин Александр Николаевич

Об авторе:

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории наноматериалов и наноэлектроники Центра природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; a.n.busygin@utmn.ru, https://orcid.org/0000-0002-3439-8067

Статьи:

2016. Том 2. №1

Особенности моделирования работы биоморфной нейросети на электронном устройстве с энергонезависимой памятью и низким потреблением энергии

Бусыгин Александр Николаевич

2016. Том 2. №4

Логический коммутатор и запоминающее устройство на основе мемристорных ячеек для электрической схемы нейропроцессора

Бусыгин Александр Николаевич

2017. Том 3. №4

Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства

Бусыгин Александр Николаевич

2019. Том 5. №2

Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре

Бусыгин Александр Николаевич

2019. Том 5. №4 (20)

Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара — основы аппаратной реализации нейропроцессора

Бусыгин Александр Николаевич

2020. Том 6. № 3 (23)

Исследование электрофизических свойств комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой для аппаратной реализации биоморфного нейропроцессора

Бусыгин Александр Николаевич

2020. Том 6. № 4 (24)

Моделирование процессов декодирования информации в выходном устройстве биоморфного нейропроцессора

Бусыгин Александр Николаевич

2021. Том 7. № 2 (26)

Численное моделирование и экспериментальное исследование аппаратной импульсной нейросети с мемристорными синапсами

Бусыгин Александр Николаевич

2021. Том 7. № 4 (28)

Теплофизическая модель мемристорно-диодного микрочипа

Бусыгин Александр Николаевич

2022. Том 8. № 2 (30)

Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионов

Бусыгин Александр Николаевич

2023. Том 9. № 2 (34)

Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристора

Бусыгин Александр Николаевич

2024. Том 10. № 3 (39)

Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора

Бусыгин Александр Николаевич

2025. Том 11. № 2 (42)

Влияние процессов генерации и рекомбинации кислородных вакансий и ионов на тепломассоперенос и электрофизические свойства металлооксидного мемристора

Бусыгин Александр Николаевич

2025. Том 11. № 4 (44)

Вычислительная эффективность моделей мемристора в задаче моделирования синаптического массива аппаратной спайковой нейросети

Бусыгин Александр Николаевич

Институты

Структурные подразделения

Нашли опечатку?
Нажмите: Ctrl + Enter