Удовиченко Сергей Юрьевич

Рубрика: Физико - математическое моделирование
Автор: Удовиченко Сергей Юрьевич
Об авторе:
доктор физико-математических наук, профессор кафедры прикладной и технической физики, Школа естественных наук, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; научный руководитель лаборатории мемристорных материалов, Центр природовдохновленного инжиниринга, Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия; udotgu@mail.ru, https://orcid.org/0000-0003-3583-7081
Статьи:
Вестник ТюмГУ. Физико-математические науки. Информатика (№4, 2012).
Исследование нестационарных температурных полей при воздействии остросфокусированного пучка тяжелых ионов на плоские двухслойные мишени
Удовиченко Сергей Юрьевич
Вестник ТюмГУ. Физико-математические науки. Информатика (№7, 2013).
Исследование состава пересыщенных по кремнию слоев нитрида кремния с помощью вторично-ионной масс-спектрометрии
Удовиченко Сергей Юрьевич
Вестник ТюмГУ. Физико-математические науки. Информатика (№7, 2013).
Получение с помощью характеристик магнетронного разряда слоев нитрида кремния стехиометрического состава и с пересыщением по кремнию
Удовиченко Сергей Юрьевич
Вестник ТюмГУ. Физико-математические науки. Информатика (№7, 2014).
Исследование жаростойкого диффузионного покрытия на лопатках газотурбинных двигателей из жаропрочного никелевого сплава
Удовиченко Сергей Юрьевич
2015. Том 1. №1(1)
Моделирование сильноточного разряда низкого давления в плоском и цилиндрическом магнетронах
Удовиченко Сергей Юрьевич
2016. Том 2. №4
Логический коммутатор и запоминающее устройство на основе мемристорных ячеек для электрической схемы нейропроцессора
Удовиченко Сергей Юрьевич
2017. Том 3. №4
Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства
Удовиченко Сергей Юрьевич
2019. Том 5. №2
Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре
Удовиченко Сергей Юрьевич
2019. Том 5. №4 (20)
Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара — основы аппаратной реализации нейропроцессора
Удовиченко Сергей Юрьевич
2020. Том 6. № 2 (22)
Математическое моделирование резистивных состояний и динамического переключения мемристора на основе оксида металла
Удовиченко Сергей Юрьевич
2020. Том 6. № 3 (23)
Исследование электрофизических свойств комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой для аппаратной реализации биоморфного нейропроцессора
Удовиченко Сергей Юрьевич
2020. Том 6. № 4 (24)
Моделирование процессов декодирования информации в выходном устройстве биоморфного нейропроцессора
Удовиченко Сергей Юрьевич
2021. Том 7. № 2 (26)
Численное моделирование и экспериментальное исследование аппаратной импульсной нейросети с мемристорными синапсами
Удовиченко Сергей Юрьевич
2022. Том 8. № 2 (30)
Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионов
Удовиченко Сергей Юрьевич
2022. Том 8. № 4 (32)
Алгоритмы для построения и моделирования работы больших электрических цепей с мемристорно-диодными кроссбарами в биоморфном нейропроцессоре
Удовиченко Сергей Юрьевич
2023. Том 9. № 2 (34)
Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристора
Удовиченко Сергей Юрьевич
2024. Том 10. № 3 (39)
Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора
Удовиченко Сергей Юрьевич


Институты

Филиалы

Структурные подразделения

Нашли опечатку?
Нажмите: Ctrl + Enter
ФГАОУ ВО «Тюменский государственный университет»
Юридический адрес:
625003 г.Тюмень, ул. Володарского, 6
Факс: 8 (34 52) 46-81-69; 46-25-81;
Тел.: 8 (34 52) 45-61-82; 45-56-65.
ТюмГУ 2003-2024 ©

Техподдержка

Сделано в Паравеб